中國記憶體業快速追趕！長鑫推DDR5、效能逼近三星 業界估2026年量產

大陸記憶體大廠長鑫儲存近日發表其最新研發的DDR5和LPDDR5X產品，同時也推出了7款適用於伺服器和PC的模組型產品。業界評估顯示，這些產品的效能已接近三星電子和SK海力士的高階DRAM產品。

大陸科技媒體報導，從具體參數來看，長鑫儲存此次推出的DDR5產品，最高速度可達每秒8,000Mb，較上一代產品的6,400Mb提升25％，單顆容量為24Gb。業內人士指出，即便將該產品與目前最先進的中央處理器（CPU）搭配，應用於最新伺服器中，其效能表現也毫不遜色。

報導指出，長鑫儲存在2025年初才將業務策略轉向「高端DRAM開發」，僅用不到一年時間便取得突破。就當前生產能力而言，以2025年第二季的晶圓投入量為統計基準，其DRAM月產能已達27萬片，此規模約為三星每月64萬片、SK海力士每月51萬片的42％至53％。

業界分析認為，長鑫儲存計畫自2026年起正式量產DDR5和LPDDR5X，這有望削弱因市場供應不足而引發的「儲存超級週期」強度，並可能對韓國儲存廠商在中國市場的營收造成衝擊。數據顯示，2024年三星和SK海力士在中國市場的合計營收達592.5億美元，占總營收的23.7％。

專家指出，長鑫儲存的快速發展得益於政府的支持和龐大的內需市場基礎。此外，美國對中國半導體管制促使中國吸收了來自韓國、日本等地的記憶體半導體專業人才，加速了技術研發進程。

據韓媒報導，目前，在通用DRAM市場，韓國企業與中國企業之間的技術差距約為1年。造成這一差距的主要原因在於，美國限制荷蘭ASML向中國出口極紫外光（EUV）曝光機，這項限制延緩中國企業在先進製程領域的技術追趕速度。

專家預測，2030年開啟的3D DRAM時代，可能成為改變市場格局的關鍵變數。屆時，若無需依賴EUV的製程技術能夠實現商用化，韓國與中國在記憶體領域的技術差距可望迅速縮減。

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