中國的自研光刻機事業突然傳出重大進展!早些時候路透社從知情人士處獲悉,已有中方團隊成功做出了 EUV(極紫外光)光刻機原型機。目前該設備正在測試,政府目標是 2028 年用它量產可用的晶片。不過專家評估更務實的時間點會是 2023 年。但無論如何,這都比外界過去的預測要大幅提前。
傳說這台原型機是基於回收的光刻機舊零件,由曾供職荷蘭半導體設備大廠 ASML 的工程師透過逆向工程的方式打造。該計畫隸屬於中國半導體戰略,由中央科技委員會主任丁薛祥領導,華為扮演了關鍵的協調角色,串連起全國大量工程師、企業和科研機構。「其目標是讓中國能使用中國製造的設備生產先進晶片,從而把美國完全排除在供應鏈之外。」消息來源之一如此說道。
美國政府從 2019 年起對荷蘭施壓,力求全面切斷中國取得尖端半導體設備的管道。其目的是讓中方的晶片製造能力落後至少一個世代,若這次的傳聞屬實,那枷鎖或被逐漸打破,中國晶片的崛起將在全球科技產業引發大地震。
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