港媒報導，大陸科技大廠華為技術一項於2022年提交的專利，近日引發市場熱議，內容顯示該公司正開發一種無須使用極紫外光（EUV）曝光機，即可達到媲美2奈米製程的技術水準。這項消息使得外界對於華為是否在先進晶片領域，取得潛在突破的揣測，再度甚囂塵上。
香港南華早報報導，華為正致力於申請一項半導體製造的「金屬整合技術」專利。該技術允許在使用深紫外光（DUV）設備的情況下，整合極為狹窄的金屬結構，甚至能實現「小於21奈米的金屬導線間距（Metal Pitch）」，而這正是製造2奈米等級晶片所需的必要條件。
該專利提出的解決方案，旨在為利用較舊款的DUV技術，生產2奈米製程晶片提供一條技術路徑。其戰略目標顯然是為了繞過美國制裁，解決中國無法從荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）取得最先進EUV設備的困境，試圖在現有設備限制下尋求突圍。
根據資料顯示，這項目前仍處於審核階段的專利，最初由華為於2022年6月提交，並於2025年1月由中國國家知識產權局公開。不過，儘管專利內容具備理論可行性，目前尚無確切證據顯示該技術已實際投入商業應用或量產。
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香港南華早報報導，華為正致力於申請一項半導體製造的「金屬整合技術」專利。該技術允許在使用深紫外光（DUV）設備的情況下，整合極為狹窄的金屬結構，甚至能實現「小於21奈米的金屬導線間距（Metal Pitch）」，而這正是製造2奈米等級晶片所需的必要條件。
該專利提出的解決方案，旨在為利用較舊款的DUV技術，生產2奈米製程晶片提供一條技術路徑。其戰略目標顯然是為了繞過美國制裁，解決中國無法從荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）取得最先進EUV設備的困境，試圖在現有設備限制下尋求突圍。
根據資料顯示，這項目前仍處於審核階段的專利，最初由華為於2022年6月提交，並於2025年1月由中國國家知識產權局公開。不過，儘管專利內容具備理論可行性，目前尚無確切證據顯示該技術已實際投入商業應用或量產。
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